IPU135N03L G

Tillverkare Produktnummer:

IPU135N03L G

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPU135N03L G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventarier:

Förfrågan Online

12803708

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IPU135N03L G Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

OptiMOS™

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

13.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

10 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1000 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

31W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

PG-TO251-3

Paket / Fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Grundläggande produktnummer

IPU135N

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

IPU135N03L G-DG

Ytterligare information

Standard-paket

1,500

Andra namn

IPU135N03LGIN

IPU135N03LGXK

SP000260752

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IPB05CN10N G

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

infineon-technologies

IPL65R340CFDAUMA1

MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK

infineon-technologies

IRFS3306TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

infineon-technologies

IRFP150N

MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC